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二硒化钽晶体 2H-TaSe2 （Tantalum Selenide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：Metal, Charge density waves （CDW） system at ~120K, Superconductor （Tc ~0.1K） 金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.342 nm, c = 1.2
硒化钛 1T-TiSe2（Titanium Selenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钒晶体 VSe2 （Vanadium Diselenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钨晶体 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体，P型 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化锆晶体 ZrSe2 （Zirconium Selenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.377, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
晶体尺寸：亚毫米大小 电学特性：金属 晶体结构：单斜晶系 晶胞参数：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90°，β= 102.87 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
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