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晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化钨钼晶体 MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide） 晶体尺寸：6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化铌晶体 2H-NbSe2（Niobium Selenide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：金属，半导体（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves （CDW） system, Tcdw ~33K 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体
二硒化铂晶体 PtSe2 （Platinum Selenide） 晶体尺寸：2-3毫米 电学性能：半金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化铼晶体 ReSe2（Rhenium Selenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：n型半导体 晶体结构：三斜晶系 晶胞参数：a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化锡晶体 SnSe2 （Tin Selenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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