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硫化镓晶体 GaS（Gallium Sulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硫化锗晶体 GeS（Germanium Sulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：斜方晶系 晶胞参数：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化铪晶体 HfS2 （Hafnium Disulfide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化钼晶体（天然） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~10mm-20mm 纯度：99% 属性：半导体
二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能：P型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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