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硫化锗晶体(百分之99.995) GeS

简要描述:硫化锗晶体 GeS(Germanium Sulfide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-06-03
  • 访  问  量:1690

详细介绍

硫化锗晶体 GeS(Germanium Sulfide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal GeS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal GeS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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