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晶体尺寸：8毫米 电学性能：半导体 晶体结构：单斜磷 晶胞参数：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ= 97.50 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体 晶体结构：单斜晶系 晶胞参数：a = 0.541 nm, b = 0.375 nm, c = 0.944 nm, α = γ = 90°, γ = 97.50° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钼晶体 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型 晶体尺寸：~10毫米 电学特性：N型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：99.995%
二硒化钨晶体 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体，P型 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化铟晶体（99.995%） InSe 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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