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二碲化铌晶体 NbTe2（Niobium Selenide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：金属，半导体（TC ~ 0.7k） 晶体结构：单斜晶系，C 晶胞参数：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二碲化钛晶体 TiTe2（Titanium Ditelluride） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.377 nm, c = 0.649 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二碲化钨晶体 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶体尺寸：10毫米 电学性能：半金属，type II Weyl semimetal （WSM） 晶体结构：斜方晶系 P 晶胞参数：a = 0.348 nm, b = 0.625 nm, c = 1.405 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 属性：半导体
晶体尺寸：10毫米 电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电材料 晶体结构：单斜晶结构 晶胞参数：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶体尺寸：10毫米 电学性能：金属，电荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K） 晶体结构：单斜晶 晶胞参数：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C = 0.934nm，α=γ= 90°，β= 110.71 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶体尺寸：10毫米 电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电性 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°γ= 120 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
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