晶体尺寸:8毫米 电学性能:半金属,电荷密度波(CDW,~ 63K),超导体(TC ~ 2K) 晶体结构:单斜磷 晶胞参数:a = 0.5864nm,B = 0.3918nm,C = 1.009nm,α=γ= 90°,γ= 98 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX
二碲化钼晶体 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
二碲化钯晶体 PdTe2 (Palladium Ditelluride) 晶体尺寸:2-3毫米 电学性能:金属,半导体(Tc ~ 1.7K) 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.4035 nm, c = 0.5105 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
二碲化铂晶体 PtTe2(Platina Ditelluride) 晶体尺寸:2~3毫米 电学性能:金属,顺磁性 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.4000 nm, c = 0.5192 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
化三铁(锗掺杂)晶体(99.995%) Fe3GeTe2 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料,新增材料: FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
Bismuth Telluride (Bi₂Te₃) Developed at our facilities since early 2013 to optimize the perfect stoichiometry and stabilize the topological insulator state.
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