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  • MoS2/WS2异质结

    两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结,低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料。

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
  • MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结

    两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结,低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
  • 二硫化钨/二硒化钨 WS2/WSe2异质结

    两种不同的半导体相接触所形成的界面区域称为异质结,低维材料在线可以定制不同层数和结构的异质结材料。

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
  • 碲化铋晶体(百分之99.995) Bi2Te3

    碲化铋晶体 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶体结构:六边形晶体尺寸:~10毫米 电气性能:拓扑绝缘体的 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
  • 二碲化铪晶体(百分之99.995)HfTe2

    二碲化铪晶体 HfTe2(Hafnium Telluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.395 nm, c = 0.666 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
  • 二碲化钼晶体(百分之99.995)1T-MoTe2

    二碲化钼晶体 1T-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学特性:金属 晶体结构:单斜晶系 晶胞参数:a = 0.621 nm, b = 0.347 nm, c = 1.383 nm, α = γ = 90°, β = 93.83 ° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2024-06-04
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