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Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS₂） comes in bulk.
晶体尺寸：10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：斜方晶系 晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍尔测量
二硫化铌晶体 2H-NbS2（Niobium Disulfide） 晶体尺寸：2毫米 电学性能：金属，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system. 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
三硫化铌晶体（99.995%） NbS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPS3 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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