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硒化铟晶体 In2Se3（Indium Selenide） 晶体尺寸：8-10毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钼晶体 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学特性：P型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：99.995%
晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
硒化钨钼晶体 MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide） 晶体尺寸：6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化铌晶体 2H-NbSe2（Niobium Selenide） 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：金属，半导体（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves （CDW） system, Tcdw ~33K 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体
二硒化铂晶体 PtSe2 （Platinum Selenide） 晶体尺寸：2-3毫米 电学性能：半金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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