二氧化硅基底石墨烯

简要描述：二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

产品型号：1*1cm单层
厂商性质：生产厂家
更新时间：2024-06-03
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碳材料

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二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底（1*1cm单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底

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