你真的了解等离子体改性及刻蚀技术吗？

　　等离子体改性及刻蚀可分为两个过程：首先，在等离子体中产生化学活性成分；其次，这些活性成分与固体材料发生反应，形成挥发性化合物，从表面扩散开来。例如，CF4离解产生的f与s反应生成SiF4气体，导致在含Si材料表面形成微铣削结构。等离子刻蚀是一个总称，包括离子刻蚀、溅射刻蚀和等离子灰化。

　　

　　基材和工艺参数决定了表面改性的类型，基材温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性的深度。等离子只能在表面蚀刻几微米，改性材料的表面性能发生了变化，但仍能保持材料的大部分性能。该技术还可用于表面清洗、定线、粗化、改变亲水性和附着力等，还可使电镜下观察的样品变薄，用于半导体集成电路的制造过程。在化学溅射中，会发生反应并产生挥发性产物。常见的气体包括AR、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机蒸气。与化学反应的等离子溅射相比，惰性离子溅射更像是一个物理过程。

　　

　　等离子体改性及刻蚀工艺中具有很多优势，比如可以更精确地控制工作尺寸、更高的刻蚀速率和更好的材料选择性。高密度等离子源可以在低压下工作，以减少鞘层振荡。在使用高密度等离子源蚀刻晶圆时，为了使能量和离子通量相互独立，需要使用独立的射频源对晶圆进行偏置。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级，离子进入负鞘层后，加速后能量会达到几百个电子伏特，并且具有很高的指向性，从而赋予离子刻蚀的各向异性。

　　

　　多功能宽密度等离子体改性及刻蚀产品特点：

　　

　　1、基板台可电动旋转、加热和提升。

　　

　　2、配备手动高真空闸阀、手动角阀和电脑复合真空计。

　　

　　3、由于采用超高真空密封技术，极限真空度高，沉积室可进入10-5pa量级，可保证更高的镀层纯度，提高镀层质量。

　　

　　4、自动监控与保护功能，包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等。

　　

　　5、配备可切换观察窗，方便观察和取样。

　　

　　6、设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组。

　　

　　7、采用磁耦合传动密封技术密封运动部件。